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SK海力士将向美国印第安纳州HBM工厂投资39亿美元,并与普渡大学合作研发

佚名 整合编辑:王珂玥 发布于:2024-04-08 11:49

存储芯片企业SK海力士宣布,将在美国印第安纳州西拉斐特市投资38.7亿美元,建设用于人工智能产品的先进封装制造和研发设施。三星电子表示,这是在美国首次开展的项目。该项目将生产用于训练ChatGPT等人工智能系统的GPU的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片下一代HBM。

三星电子计划从2028年下半年开始大规模生产,新工厂还将开发下一代芯片,并设有先进的封装研发线。SK海力士方面表示,“印第安纳州的制造业基础设施和R&D生态系统具有弹性,半导体领域的专家知识分子和普渡大学的人才储备,以及州政府和地方政府的大力支持”。

SK海力士正在与普渡大学就未来的研发项目进行合作,其中包括与普渡大学的Birck纳米技术中心以及其他研究机构和行业合作伙伴进行先进封装和异构集成的工作。他们还希望在一个与生成式人工智能时代以内存为中心的解决方案和架构相关的项目上进行合作,特别是系统级内存设计和内/近内存计算。

该公司还计划与普渡大学(Purdue)和常春藤科技社区学院(Ivy Tech Community College)合作,开发培训项目和跨学科学位课程,以培养高科技劳动力,并建立新人才的输送渠道。

与此同时,SK海力士计划通过建立伙伴关系,提供社区发展、成长机会和领导力培训,支持普渡研究基金会(Purdue Research Foundation)和其他当地非营利组织和慈善机构的工作。

另外,SK海力士将按计划进行国内投资。三星电子计划投资120万亿韩元,在龙仁半导体园区建设生产设施,目前正在准备场地。该公司计划于2025年3月破土动工,并计划于2027年初完工。此外,还将建设拥有300毫米晶圆加工设备的迷你工厂,用于测试半导体材料、元件和设备。

HBM垂直互连多个DRAM芯片,与传统DRAM产品相比,旨在提高数据处理速度。HBM4是继HBM、HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E之后的第六代。

该公司表示,存储芯片的创新将继续推动低功耗操作和计算性能的提高。“由于技术收缩和其他硬件改进已经达到极限,SK海力士的新芯片封装技术已经成为继续提高密度和性能的有前途的方法。随着这种异构集成技术对半导体行业的未来变得越来越重要,该公司在印第安纳州的新举措将有助于将该地区建立为‘硅心脏地带’:一个以中西部三角为中心的新半导体集群,将成为人工智能时代下一代计算的磁石。

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