美光、SK海力士和三星三大存储原厂均于2024年相继实现HBM3E的量产,同时加速推进HBM4的研发工作。 2024年2月,美光宣布量产HBM3E,并将搭载于NVIDIAH200TensorCoreGPU。该产品单引脚最大I/O速率超9.2Gbit/s,最高带宽超1.2TB/s,层数为8层,容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB的12层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026年发布HBM4产品,最高带宽超1.5TB/s,容量为36GB~48GB,堆叠层数达到12/16层。美光预计2028年推出HBM4E产品,容量将提升至48GB~64GB,带宽增加至2TB/s以上,而堆叠层数仍为12/16层。 2023年8月,SK海力士宣布成功开发出HBM3E,单引脚最大I/O速率为9.2Gbit/s,层数为12层,最高带宽超1.18TB/s;同时该产品采用了大规模回流模塑底部填充(MR-MUF,Mass Reflow-Molded Underfill)技术,散热性能提升10%。2024年3月,SK海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月,SK海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示,应大客户要求,HBM开发进度将提前一年,预计于2025年完成HBM4的开发;HBM4E最早于2026年推出,内存带宽将是HBM4的1.4倍。 2023年10月,三星推出其HBM3E产品——“Shinebolt”,取代了之前推出的“Icebolt”。新HBM3内存单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s,同时提供1.2TB/s的高带宽。援引彭博社消息,8层HBM3E已于2024年4月量产,容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2实现量产。在ISSCC2024上,三星公布了其HBM4的研究成果,最高带宽达2TB/s,并通过16层堆叠实现48GB容量,计划于2025年推出。 |
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