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台积电预计2030年将生产1nm晶体管

佚名 整合编辑: 王珂玥 发布于:2024-01-02 09:29

台积电已经更新了多种的路线图,列出了其未来的半导体目标,一直延伸到2030年。这有点像公司的愿景板,展示了其雄心勃勃的设计计划,将允许在单个封装中使用多达一万亿晶体管。与此同时,该公司还强调,计划最终达成半导体制造业的一个分水岭:1nm晶体管的生产。

该公司在最近的IEDM会议上展示了自己的计划,并发布了一份路线图,列出了未来的计划。在这条道路的尽头,有一些真正诱人的芯片,台积电表示,使用多个3D堆叠芯片,将有可能在一个封装上放置一万亿芯片。巧合的是,英特尔此前也曾表示,到2030年,一个封装上的晶体管可能达到1万亿个。英特尔首席执行官Pat Gelsinger去年表示,该公司设想使用小芯片和先进的封装技术,在一个封装上放置1万亿个晶体管,同时也使用小芯片,即英特尔所说的“瓦片”。

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台积电路线图

台积电表示,到2030年,该公司将生产1纳米晶体管,从而在单片芯片上生产多达2000亿个晶体管。来源:台积电

台积电还表示,到2030年,单片设计的晶体管数量也将达到2000亿个。作为参考,英伟达目前最大的单片台积电芯片是H100.它有800亿个晶体管。与此同时,目前的芯片设计也越来越大,英特尔的Ponte Vecchio有1000亿个晶体管,AMD的新MI300有1460亿个晶体管。

据Tom's Hardware报道,为了实现这些目标,台积电将向2nm工艺迈进,然后最终向1.4nm和1nm工艺迈进。路线图显示,到2025年,它将乘坐3nm列车,然后在那之后的某个时间开始生产2nm。到2028年,它将采用1.4nm的A14工艺,1nm的A10节点将在2023年到来。

这个时间表特别有趣的是,英特尔已经计划在2024年生产自己的2nm工艺,并将其称为英特尔20A。在那之后,预计到2025年将推进到1.8纳米,即英特尔18A。和以往一样,我们必须等待,看看它是否达到了这些目标,但到目前为止,该公司表示仍在按计划进行。如果英特尔真的能在2024年生产出20A的CPU,即“Arrow Lake”,那么从理论上讲,它将多年来首次超越台积电,这是该公司从2021年开始的“四年五个节点”计划一直以来的战略。

原文《TSMC Says It Expects to Produce 1nm Transistors by 2030》

佚名

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